FM24V10-G

Infineon Technologies
877-FM24V10-G
FM24V10-G

Ürt.:

Açıklama:
F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.166

Stok:
1.166 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
16,28 € 16,28 €
15,48 € 154,80 €
14,44 € 361,00 €
13,38 € 669,00 €
13,34 € 1.334,00 €
9,70 € 4.704,50 €

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
16,88 €
Min:
1

Benzer Ürün

Infineon Technologies FM24V10-GTR
Infineon Technologies
F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
I2C
3.4 MHz
128 k x 8
SOIC-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM24V10-G
Tube
Marka: Infineon Technologies
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: US
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
İşletim Besleme Voltajı: 3.3 V
Ürün Tipi: FRAM
Fabrika Paket Miktarı: 485
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Birim Ağırlık: 540 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

WICED IOT Platform

Infineon Technologies WICED IoT Platform is a portfolio of wireless technologies ranging from Wi-Fi® and BLUETOOTH® to microcontrollers (MCU) built specifically for the IoT. These design-ready, secure products streamline and simplify designs. Infineon has over 20 ecosystem partners working to crack persistent design problems.  

Serial FRAM Nonvolatile Memory Devices

Infineon Technologies Serial F-RAM (ferroelectric RAM) memories combine the nonvolatile data storage capability of ROM with the fast speeds of RAM. Serial F-RAM features a variety of interface and density options, including SPI and I2C interfaces, industry-standard packages, and densities ranging from 4KB to 4MB. Infineon Serial F-RAMs have three distinct advantages over other nonvolatile memory technologies: fast write speed, extremely high endurance, and low power consumption. Serial F-RAMs provide 100 trillion cycle endurance, exceeding the 1 million write cycle limitation of EEPROM. This eliminates the need for wear leveling to support a product over its lifespan. 

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.