Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

FM25V10-G

Name: Infineon FM25V10-G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM25V10-G
Price: 12.95 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

877-FM25V10-G

Ürt. Numarası:

FM25V10-G

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Veri Sayfası:

FM25V10-G Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies FM25V10-G hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 2.820

Stok:: 2.820 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	12,95 €	12,95 €
	12,04 €	120,40 €
	11,85 €	296,25 €
	11,29 €	564,50 €
	11,01 €	1.101,00 €
	10,84 €	2.710,00 €
	10,57 €	5.285,00 €
	10,53 €	10.530,00 €
1.940	Fiyat Teklifi

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:

FM25V10-GTR

Paketleme:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Stok Durumu:

Stokta Var

Fiyat:

13,18 €

Min:

Benzer Ürün

Ürt.:

Infineon Technologies

Ürt. Numarası:

FM25V10-GTR

Açıklama:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Mevcut Parça ile Karşılaştırın

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	F-RAM
RoHS:
Bellek Boyutu:	1 Mbit
Arayüz Türü:	SPI
Maksimum Saat Frekansı:	25 MHz, 40 MHz
Kurum:	128 k x 8
Paket / Kasa:	SOIC-8
Besleme Voltajı - Min:	2 V
Besleme Voltajı - Maks:	3.6 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Seri:	FM25V10-G
Paketleme:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	TH
Neme Duyarlı:	Yes
Montaj Stili:	SMD/SMT
İşletim Besleme Voltajı:	2 V to 3.6 V
Ürün Tipi:	FRAM
Fabrika Paket Miktarı:	1940
Alt kategori::	Memory & Data Storage
Birim Ağırlık:	540 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

FM25V10-G Veri Sayfası (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

WICED IOT Platform

Infineon Technologies WICED IoT Platform is a portfolio of wireless technologies ranging from Wi-Fi® and BLUETOOTH® to microcontrollers (MCU) built specifically for the IoT. These design-ready, secure products streamline and simplify designs. Infineon has over 20 ecosystem partners working to crack persistent design problems.

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Serial FRAM Nonvolatile Memory Devices

Infineon Technologies Serial F-RAM (ferroelectric RAM) memories combine the nonvolatile data storage capability of ROM with the fast speeds of RAM. Serial F-RAM features a variety of interface and density options, including SPI and I²C interfaces, industry-standard packages, and densities ranging from 4KB to 4MB. Infineon Serial F-RAMs have three distinct advantages over other nonvolatile memory technologies: fast write speed, extremely high endurance, and low power consumption. Serial F-RAMs provide 100 trillion cycle endurance, exceeding the 1 million write cycle limitation of EEPROM. This eliminates the need for wear leveling to support a product over its lifespan.