FM28V020-SGTR

Infineon Technologies
877-FM28V020-SGTR
FM28V020-SGTR

Ürt.:

Açıklama:
F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 2.042

Stok:
2.042 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
15 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
13,00 € 13,00 €
12,07 € 120,70 €
11,70 € 292,50 €
11,41 € 570,50 €
11,13 € 1.113,00 €
10,77 € 2.692,50 €
10,71 € 5.355,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
8,51 € 8.510,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Tube
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
12,96 €
Min:
1

Benzer Ürün

Infineon Technologies FM28V020-SG
Infineon Technologies
F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
SOIC-28
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V020-SG
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Montaj Ülkesi: TH
Dağıtım Ülkesi: US
Menşe Ülke: US
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
İşletim Besleme Voltajı: 3.3 V
Ürün Tipi: FRAM
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Birim Ağırlık: 2,215 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.