Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

FM28V020-SGTR

Name: Infineon FM28V020-SGTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM28V020-SGTR
Price: 13 EUR
Availability: InStock

Mouser Numarası:

877-FM28V020-SGTR

Ürt. Numarası:

FM28V020-SGTR

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Veri Sayfası:

FM28V020-SGTR Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies FM28V020-SGTR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 2.042

Stok:: 2.042 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 15 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	13,00 €	13,00 €
	12,07 €	120,70 €
	11,70 €	292,50 €
	11,41 €	570,50 €
	11,13 €	1.113,00 €
	10,77 €	2.692,50 €
	10,71 €	5.355,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
	8,51 €	8.510,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:

FM28V020-SG

Paketleme:

Tube

Stok Durumu:

Stokta Var

Fiyat:

12,96 €

Min:

Benzer Ürün

Ürt.:

Infineon Technologies

Ürt. Numarası:

FM28V020-SG

Açıklama:

F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Mevcut Parça ile Karşılaştırın

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	F-RAM
RoHS:
Bellek Boyutu:	256 kbit
Arayüz Türü:	Parallel
Kurum:	32 k x 8
Paket / Kasa:	SOIC-28
Erişim süresi:	60 ns
Besleme Voltajı - Min:	2 V
Besleme Voltajı - Maks:	3.6 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Seri:	FM28V020-SG
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Montaj Ülkesi:	TH
Dağıtım Ülkesi:	US
Menşe Ülke:	US
Neme Duyarlı:	Yes
Montaj Stili:	SMD/SMT
İşletim Besleme Voltajı:	3.3 V
Ürün Tipi:	FRAM
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Memory & Data Storage
Birim Ağırlık:	2,215 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

FM28V020-SGTR Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.