Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 175.62 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

148-GCMX005A120S3B1N

Ürt. Numarası:

GCMX005A120S3B1-N

Ürt.:

SemiQ

Açıklama:

MOSFET Modules 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

GCMX005A120S3B1-N Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SemiQ GCMX005A120S3B1-N hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	175,62 €	175,62 €
	149,67 €	1.496,70 €
105	Fiyat Teklifi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SemiQ
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	SiC
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	S3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	2 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	424 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	7 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	1.531 kW
Seri:	GCMX
Paketleme:	Bulk
Marka:	SemiQ
Düşüş Zamanı:	24 ns
Yükseklik:	30.9 mm
Uzunluk:	106.4 mm
Ürün:	Modules
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	18 ns
Fabrika Paket Miktarı:	15
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Tip:	Half Bridge Module
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	114 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	65 ns
Vf - İleri Voltaj:	4 V
Genişlik:	61.4 mm

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GCMX005A120S3B1-N Veri Sayfası (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET Half-Bridge Modules

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET Half-Bridge Modules offer low switching losses, low junction-to-case thermal resistance, and very rugged and easy mounting. These modules directly mount the heatsink (isolated package) and include a Kelvin reference for stable operation. All parts have been rigorously tested to withstand voltages above 1350V. The standout feature of these modules is the robust 1200V drain-source voltage. The GCMX half-bridge modules operate at a 175°C junction temperature and are RoHS-compliant. Typical applications include photovoltaic inverters, battery chargers, energy storage systems, and high-voltage DC-to-DC converters.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).