Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

GE08MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE08MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE08MPS06Q-TR
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

905-GE08MPS06Q-TR

Ürt. Numarası:

GE08MPS06Q-TR

Ürt.:

GeneSiC Semiconductor

Açıklama:

SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

GE08MPS06Q-TR Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q-TR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 3.000

Stok:: 3.000 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	1,30 €	1,30 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	1,30 €	3.900,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Navitas Semiconductor
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	QFN-8
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	8 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	650 V
Vf - İleri Voltaj:	1.25 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	44 A
IR - Ters Akım:	1 uA
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	SiC Schottky MPS
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Güç Dağılımı:	161 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj:	650 V

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GE08MPS06Q-TR Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.