GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 11.84 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

148-GP3T016A120H

Ürt. Numarası:

GP3T016A120H

Ürt.:

SemiQ

Açıklama:

SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

GP3T016A120H Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SemiQ GP3T016A120H hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SemiQ
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4L
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	350 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	23 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	260 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	484 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	SemiQ
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	20 ns
İleri İletkenlik - Min:	29 S
Paketleme:	Tube
Ürün:	MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	25 ns
Seri:	GP3T
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	SiC MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	65 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	21 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GP3T016A120H Veri Sayfası (PDF)

Uyumluluk Kodları

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Filipinler
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

GEN3 1.200 V SiC MOSFET Ayrık Cihazlar

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.