GP3T080A120H

SemiQ
148-GP3T080A120H
GP3T080A120H

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
SemiQ
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
1 Channel
1.2 kV
70 A
100 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
147 W
Enhancement
Marka: SemiQ
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 9 ns
İleri İletkenlik - Min: 6 S
Paketleme: Tube
Ürün: MOSFETs
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 4 ns
Seri: GP3T
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Transistör Polaritesi: N-Channel
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tip: SiC MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 19 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Uyumluluk Kodları
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Tayvan
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

GEN3 1.200 V SiC MOSFET Ayrık Cihazlar

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

Stokta Var: 185

Stok:
185 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
5 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,02 € 6,02 €
3,36 € 33,60 €
3,14 € 376,80 €
2,58 € 1.315,80 €
2,49 € 2.539,80 €