IKQ75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKQ75N120CH7XKSA
IKQ75N120CH7XKSA1

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 293

Stok:
293 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
19 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
7,78 € 7,78 €
5,21 € 52,10 €
4,42 € 442,00 €
4,23 € 2.030,40 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
- 20 V, 20 V
IGBT7 H7
Tube
Marka: Infineon Technologies
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 240
Alt kategori:: IGBTs
Ticari Unvan: TRENCHSTOP
Parça No Takma Adları: IKQ75N120CH7 SP005578282
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors are the 7th generation of 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs, which are designed with micro-pattern trench technology. These discrete IGBTs offer a high level of controllability, low conduction losses, low switching losses, improved EMI performance, and humidity robustness under harsh environments. The IGBT7 H7 discrete transistors allow the selection of a low gate resistor (down to 5Ω) while maintaining excellent switching behavior. These transistors are used in fast EV charging, industrial heating and welding, and Uninterruptible Power Supplies (UPS) applications.

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.