IKW08N120CS7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW08N120CS7XKSA
IKW08N120CS7XKSA1

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Infineon Technologies IKW08N120CS7XKSA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 7

Stok:
7
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
240
Beklenen 12.03.2026
240
Beklenen 25.05.2026
Fabrika Teslim Süresi:
14
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,68 € 3,68 €
2,06 € 20,60 €
1,69 € 169,00 €
1,49 € 715,20 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: IGBTs
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.65 V
- 20 V, 20 V
21 A
106 W
- 40 C
+ 175 C
IGBT7 S7
Tube
Marka: Infineon Technologies
Kapı Verici Kaçak Akımı: 100 nA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 240
Alt kategori:: IGBTs
Ticari Unvan: TRENCHSTOP
Parça No Takma Adları: IKW08N120CS7 SP005419704
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Product Catalogs

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.

TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable-speed drives. If only half of all industrial drives had electric speed control, 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 offers an extensive 1200V portfolio for all industrial applications requiring short circuit capability/ruggedness. The IGBT7 S7 is an efficient short-circuit rugged discrete IGBT providing at least 10% lower saturation voltage than others.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.