Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 1.89 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IPI086N10N3G

Ürt. Numarası:

IPI086N10N3 G

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

MOSFET'ler N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Veri Sayfası:

IPI086N10N3 G Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IPI086N10N3 G hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 2.000

Beklenen 6.03.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 8

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	1,89 €	1,89 €
	0,92 €	9,20 €
	0,824 €	82,40 €
	0,658 €	329,00 €
	0,613 €	613,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-262-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	80 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	8.2 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.7 V
Qg - Kapı Şarjı:	55 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	125 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	OptiMOS
Paketleme:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	8 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	42 ns
Seri:	OptiMOS 3
Fabrika Paket Miktarı:	500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	31 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	18 ns
Parça No Takma Adları:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Birim Ağırlık:	2,387 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IPI086N10N3 G Veri Sayfası (PDF)

Product Catalogs

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.