Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IQEH80NE2LM7UCGS

Ürt. Numarası:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

MOSFET'ler OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 4.792

Stok:: 4.792 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 52 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	2,30 €	2,30 €
	1,47 €	14,70 €
	0,998 €	99,80 €
	0,835 €	417,50 €
	0,734 €	734,00 €
	0,68 €	1.700,00 €
Tam Makara (6000'in katları olarak sipariş verin)
	0,658 €	3.948,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	25 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	282 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	800 uOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	16 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2 V
Qg - Kapı Şarjı:	17.2 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	107 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	OptiMOS
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	2.7 ns
İleri İletkenlik - Min:	50 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	1.4 ns
Seri:	OptiMOS 7
Fabrika Paket Miktarı:	6000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	20.1 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	5.4 ns
Parça No Takma Adları:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Veri Sayfası (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.