IR25601STRPBF
Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
942-IR25601STRPBF
IR25601STRPBF
Ürt.:
Açıklama:
Kapı Sürücüleri 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
Kapı Sürücüleri 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
Veri Sayfası:
Stokta Var: 1.611
-
Stok:
-
1.611 Hemen GönderilebilirBeklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
-
Fabrika Teslim Süresi:
-
24 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Fiyatlandırma (EUR)
| Miktar | Birim Fiyat |
Toplam Fiyat
|
|---|---|---|
| Hazır Kesim Bant / MouseReel™ † | ||
| 1,30 € | 1,30 € | |
| 0,946 € | 9,46 € | |
| 0,857 € | 21,43 € | |
| 0,761 € | 76,10 € | |
| 0,715 € | 178,75 € | |
| 0,687 € | 343,50 € | |
| 0,64 € | 640,00 € | |
| Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin) | ||
| 0,597 € | 1.492,50 € | |
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.
↩
Veri Sayfası
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- Gate driver application matrix - Every switch needs a driver (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
