Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

ISC019N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N08NM7ATMA
Price: 3.19 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-ISC019N08NM7ATMA

Ürt. Numarası:

ISC019N08NM7ATMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

MOSFET'ler OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

ISC019N08NM7ATMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies ISC019N08NM7ATMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 5.460

Stok:: 5.460 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,19 €	3,19 €
	2,09 €	20,90 €
	1,46 €	146,00 €
	1,33 €	665,00 €
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
	1,33 €	6.650,00 €
	1,09 €	10.900,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PG-TDSON-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	80 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	209 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	1.9 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	60 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	188 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	OptiMOS
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	7.5 ns
İleri İletkenlik - Min:	70 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	5.3 ns
Seri:	OptiMOS 7
Fabrika Paket Miktarı:	5000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	28 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	11 ns
Parça No Takma Adları:	ISC019N08NM7 SP006166279

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

ISC019N08NM7ATMA1 Veri Sayfası (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.