Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-ISC073N12LM6ATMA

Ürt. Numarası:

ISC073N12LM6ATMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

MOSFET'ler IFX FET >100-150V

Veri Sayfası:

ISC073N12LM6ATMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies ISC073N12LM6ATMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 4.584

Stok:: 4.584

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 4.800

Beklenen 6.03.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 26

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	2,78 €	2,78 €
	1,81 €	18,10 €
	1,26 €	126,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,02 €	1.020,00 €
	1,01 €	2.525,00 €
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
	1,01 €	5.050,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TDSON-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	120 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	86 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	7.3 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	14.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	125 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	OptiMOS
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	5 ns
İleri İletkenlik - Min:	45 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	3 ns
Fabrika Paket Miktarı:	5000
Alt kategori::	Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	18 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	7 ns
Parça No Takma Adları:	ISC073N12LM6 SP005586060

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

ISC073N12LM6ATMA1 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Power MOSFETs offer next-generation, cutting-edge innovation and best-in-class performance. The OptiMOS 6 family utilizes thin wafer technology that enables significant performance benefits. Compared to alternative products, the OptiMOS 6 Power MOSFETs have a reduced R_DS(ON) of 30% and are optimized for synchronous rectification. These MOSFETs are available in various voltage nodes, including 40V, 100V, 120V, 135V, 150V, and 200V.

OptiMOS™ 3 N-channel MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N-channel MOSFETs feature low on-state resistance in a SuperSO8 leadless package. OptiMOS 3 MOSFETs increase power-density up to 50 percent in industrial, consumer, and telecommunications applications. OptiMOS™ 3 is available in 40V, 60V, and 80V N-channel MOSFETs in SuperSO8 and Shrink SuperSO8 (S3O8) packages. Compared to standard Transistor Outline (TO) packages, the SuperSO8 increases power density by as much as 50 percent.