IXSA110N65L2-7TR

IXYS
747-IXSA110N65L2-7TR
IXSA110N65L2-7TR

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
IXYS IXSA110N65L2-7TR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 900

Stok:
900 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ †
9,56 € 9,56 €
7,30 € 73,00 €
6,09 € 609,00 €
5,31 € 2.655,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
4,60 € 3.680,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7L
N-Channel
1 Channel
650 V
111 A
33 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
600 W
Enhancement
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 11.5 ns
Paketleme: Reel
Paketleme: Cut Tape
Paketleme: MouseReel
Ürün: MOSFETs
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 23.4 ns
Fabrika Paket Miktarı: 800
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 35.1 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.