KTDM4G3C618BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C618BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C618BGIEAT
Price: 9.92 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

473-M4G3C618BGIEAT

Ürt. Numarası:

KTDM4G3C618BGIEAT

Ürt.:

SMARTsemi

Açıklama:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

Veri Sayfası:

KTDM4G3C618BGIEAT Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SMARTsemi KTDM4G3C618BGIEAT hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.098

Stok:: 1.098 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	9,92 €	9,92 €
	9,65 €	96,50 €
	8,20 €	1.623,60 €
	7,99 €	4.746,06 €
	7,93 €	9.420,84 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SMART
Ürün Kategorisi:	DRAM
RoHS:
Tip:	SDRAM - DDR3L
Bellek Boyutu:	4 Gbit
Veri Yolu Genişliği:	16 bit
Maksimum Saat Frekansı:	933 MHz
Paket / Kasa:	FBGA-96
Kurum:	256 M x 16
Besleme Voltajı - Min:	1.283 V
Besleme Voltajı - Maks:	1.575 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Seri:	KTDM
Paketleme:	Tray
Marka:	SMARTsemi
Neme Duyarlı:	Yes
Montaj Stili:	SMD/SMT
Ürün Tipi:	DRAM
Fabrika Paket Miktarı:	198
Alt kategori::	Memory & Data Storage

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

KTDM4G3C618BGIEAT Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.