KTDM4G4B626BGCEAT

SMARTsemi
473-M4G4B626BGCEAT
KTDM4G4B626BGCEAT

Ürt.:

Açıklama:
DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 86

Stok:
86 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
39 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
8,63 € 8,63 €
8,02 € 80,20 €
7,77 € 194,25 €
7,59 € 379,50 €
7,40 € 740,00 €
7,16 € 1.417,68 €
6,97 € 4.140,18 €
6,93 € 8.232,84 €
2.574 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
SMART
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
16 bit
1.333 GHz
FBGA-96
256 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Marka: SMARTsemi
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 198
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).