KTDM4G4B826BGIEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGIEAT
Price: 9.26 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

473-M4G4B826BGIEAT

Ürt. Numarası:

KTDM4G4B826BGIEAT

Ürt.:

SMARTsemi

Açıklama:

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial

Veri Sayfası:

KTDM4G4B826BGIEAT Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

SMARTsemi KTDM4G4B826BGIEAT hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 162

Stok:: 162 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	9,26 €	9,26 €
	8,97 €	89,70 €
	7,66 €	1.608,60 €
	7,47 €	3.137,40 €
	7,41 €	7.780,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	SMART
Ürün Kategorisi:	DRAM
RoHS:
Tip:	SDRAM - DDR4
Bellek Boyutu:	4 Gbit
Veri Yolu Genişliği:	8 bit
Maksimum Saat Frekansı:	1.333 GHz
Paket / Kasa:	FBGA-78
Kurum:	512 M x 8
Besleme Voltajı - Min:	1.14 V
Besleme Voltajı - Maks:	1.26 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Seri:	KTDM
Paketleme:	Tray
Marka:	SMARTsemi
Neme Duyarlı:	Yes
Montaj Stili:	SMD/SMT
Ürün Tipi:	DRAM
Fabrika Paket Miktarı:	210
Alt kategori::	Memory & Data Storage

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

KTDM4G4B826BGIEAT Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).