MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 501

Stok:
501 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
7,71 € 7,71 €
5,50 € 55,00 €
5,25 € 131,25 €
4,56 € 456,00 €
4,35 € 1.087,50 €
3,97 € 1.985,00 €
3,52 € 3.520,00 €
3,41 € 8.525,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marka: STMicroelectronics
Geliştirme Kiti: EVALMASTERGAN1
Neme Duyarlı: Yes
İşletim Besleme Akımı: 680 uA
Ürün Tipi: Gate Drivers
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci: 330 mOhms
Kapanma: Shutdown
Fabrika Paket Miktarı: 1560
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Birim Ağırlık: 120 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.