MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.274

Stok:
1.274 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,14 € 6,14 €
4,74 € 47,40 €
4,39 € 109,75 €
4,01 € 401,00 €
3,82 € 955,00 €
3,71 € 1.855,00 €
3,62 € 3.620,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
3,50 € 10.500,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marka: STMicroelectronics
Maksimum Kapatma Gecikme Süresi: 45 ns
Maksimum Açılma Gecikme Süresi: 45 ns
Neme Duyarlı: Yes
İşletim Besleme Akımı: 10 A
Pd - Güç Dağılımı: 40 mW
Ürün Tipi: Gate Drivers
Yayılma Gecikmesi - Maks: 70 ns
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci: 330 mOhms
Kapanma: Shutdown
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Teknoloji: GaN
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.