MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 112

Stok:
112 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
7,45 € 7,45 €
5,74 € 57,40 €
5,32 € 133,00 €
4,85 € 485,00 €
4,71 € 1.177,50 €
4,60 € 2.300,00 €
4,23 € 4.230,00 €
4,20 € 10.500,00 €
4.680 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marka: STMicroelectronics
Özellikler: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Input Voltage - Max: 15 V
Input Voltage - Min: 3.3 V
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: Gate Drivers
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci: 225 mOhms
Fabrika Paket Miktarı: 1560
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Birim Ağırlık: 150 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Tayvan
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.