MASTERGAN4LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4LTR
MASTERGAN4LTR

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.367

Stok:
1.367 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
1367'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,95 € 4,95 €
3,80 € 38,00 €
3,51 € 87,75 €
3,19 € 319,00 €
3,04 € 760,00 €
2,95 € 1.475,00 €
2,87 € 2.870,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
2,72 € 8.160,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marka: STMicroelectronics
Maksimum Kapatma Gecikme Süresi: 45 ns
Maksimum Açılma Gecikme Süresi: 45 ns
Neme Duyarlı: Yes
İşletim Besleme Akımı: 6.5 A
Pd - Güç Dağılımı: 40 mW
Ürün Tipi: Gate Drivers
Yayılma Gecikmesi - Maks: 70 ns
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci: 495 mOhms
Kapanma: Shutdown
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Teknoloji: GaN
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.