MWT-LN300

CML Micro
938-MWT-LN300
MWT-LN300

Ürt.:

Açıklama:
RF MOSFET Transistörler Low Noise pHEMT Devices

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 50

Stok:
50 Hemen Gönderilebilir
50'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 10   Çoklu: 10
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (10'in katları olarak sipariş verin)
28,90 € 289,00 €
27,70 € 2.770,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
CML Micro
Ürün Kategorisi: RF MOSFET Transistörler
GaAs
120 mA
4 V
26 GHz
10 dB, 13 dB
16 dBm
+ 150 C
Die
Reel
Marka: CML Micro
İleri İletkenlik - Min: 160 mS
Pd - Güç Dağılımı: 300 mW
Ürün Tipi: RF MOSFET Transistors
Seri: MWT
Fabrika Paket Miktarı: 10
Alt kategori:: MOSFETs
Ticari Unvan: MWT-LN300
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.