MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

Ürt.:

Açıklama:
RF MOSFET Transistörler Low Noise pHEMT Devices

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 100

Stok:
100 Hemen Gönderilebilir
100'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 10   Çoklu: 10
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
27,92 € 279,20 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
CML Micro
Ürün Kategorisi: RF MOSFET Transistörler
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marka: CML Micro
İleri İletkenlik - Min: 300 mS
Pd - Güç Dağılımı: 500 mW
Ürün Tipi: RF MOSFET Transistors
Seri: MWT
Fabrika Paket Miktarı: 10
Alt kategori:: MOSFETs
Ticari Unvan: MWT-LN600
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.