Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 16.7 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NTH4L022N120M3S

Ürt. Numarası:

NTH4L022N120M3S

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

Veri Sayfası:

NTH4L022N120M3S Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NTH4L022N120M3S hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.634

Stok:: 1.634 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	16,70 €	16,70 €
	10,95 €	109,50 €
	10,70 €	1.070,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	68 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	30 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.4 V
Qg - Kapı Şarjı:	151 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	352 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	13 ns
İleri İletkenlik - Min:	34 S
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	24 ns
Seri:	NTH4L022N120M3S
Fabrika Paket Miktarı:	450
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	48 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	18 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NTH4L022N120M3S Veri Sayfası

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs. The MOSFETs feature ultra-low gate charges and low switching losses. Some MOSFET models provide high-speed switching with low capacitance ratings. The NTH4L series is 100% avalanche tested and RoHS compliant. The onsemi NTH4L SiC MOSFETs are ideal for various power applications, including solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, uninterruptible power supplies (UPS), energy storage systems, and switch-mode power supplies (SMPS).

M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for fast switching applications. The planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The onsemi M3S 1200V MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The M3S offers low switching losses and is housed in a TO247-4LD package for low common source inductance.