NTTFD9D0N06HLTWG

onsemi
863-NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.731

Stok:
1.731 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
23 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
2,42 € 2,42 €
1,57 € 15,70 €
1,08 € 108,00 €
0,886 € 443,00 €
0,805 € 805,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,75 € 2.250,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-12
N-Channel
2 Channel
60 V
38 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
13.5 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Ürün Tipi: MOSFETs
Seri: NTTFD9D0N06HL
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs

onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs are POWERTRENCH® power clip symmetric dual-channel MOSFETs in a WQFN12 package. These devices include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node is internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q2) and synchronous MOSFET (Q1) are designed to provide optimal power efficiency. onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs offer low RDS(on), low QG and capacitance, and low conduction/driver losses. Typical applications include DC-DC converters, general-purpose point of load, single-phase motor drives, computing, and communications

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).