Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ44605AP-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ44605APAUR200
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

241-PJQ44605APAUR200

Ürt. Numarası:

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

Ürt.:

Panjit

Açıklama:

MOSFET'ler 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

PJQ44605AP-AU_R2_002A1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Panjit PJQ44605AP-AU_R2_002A1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 4.083

Stok:: 4.083 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	1,03 €	1,03 €
	0,648 €	6,48 €
	0,427 €	42,70 €
	0,338 €	169,00 €
	0,30 €	300,00 €
	0,281 €	702,50 €
Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin)
	0,238 €	1.190,00 €
	0,231 €	2.310,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Panjit
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	DFN3333-8L
Transistör Polaritesi:	P-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	60 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	38 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	28 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	44 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	75 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Panjit
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	21 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	9 ns
Fabrika Paket Miktarı:	5000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 P-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	41 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	7 ns
Birim Ağırlık:	30 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

PJQ44605AP-AU_R2_002A1 Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.