RJ1L10BBGTL1

ROHM Semiconductor
755-RJ1L10BBGTL1
RJ1L10BBGTL1

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 640

Stok:
640 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
5,83 € 5,83 €
3,94 € 39,40 €
2,91 € 291,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
2,47 € 1.976,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
240 A
1.85 mOhms
20 V
2.5 V
160 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: ROHM Semiconductor
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 140 ns
İleri İletkenlik - Min: 64 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 31 ns
Fabrika Paket Miktarı: 800
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 230 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 49 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.