S34ML02G300TFI003

SkyHigh Memory
727-S34ML02G3TFI003
S34ML02G300TFI003

Ürt.:

Açıklama:
NAND Flash 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 35

Stok:
35 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
22 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,49 € 4,49 €
4,13 € 41,30 €
4,01 € 100,25 €
3,91 € 195,50 €
3,82 € 382,00 €
3,70 € 925,00 €
3,60 € 1.800,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
3,58 € 3.580,00 €
3,40 € 6.800,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
SkyHigh Memory
Ürün Kategorisi: NAND Flash
SMD/SMT
TSOP-I-48
2 Gbit
Parallel
256 M x 8
Asynchronous
8 bit
2.7 V
3.6 V
35 mA
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Aktif Okuma Akımı - Maks: 35 mA
Marka: SkyHigh Memory
Neme Duyarlı: Yes
Ürün Tipi: NAND Flash
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.