Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

SCS206AGC17

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

755-SCS206AGC17

Ürt. Numarası:

SCS206AGC17

Ürt.:

ROHM Semiconductor

Açıklama:

SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen

Yaşam Döngüsü:

NRND:

Yeni tasarımlar için tavsiye edilmez.

Veri Sayfası:

SCS206AGC17 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

ROHM Semiconductor SCS206AGC17 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Mevcut Değil

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Fiyatlandırma (EUR)

Teklif Talep Edin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-220ACG-2
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	6 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	650 V
Vf - İleri Voltaj:	1.55 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	23 A
IR - Ters Akım:	120 uA
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Paketleme:	Tube
Marka:	ROHM Semiconductor
Pd - Güç Dağılımı:	51 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj:	650 V
Parça No Takma Adları:	SCS206AG

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SCS206AGC17 Veri Sayfası (PDF)

Specification Sheets

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.