Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

SCS220AE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS220AE2HRC11
Price: 8.59 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

755-SCS220AE2HRC11

Ürt. Numarası:

SCS220AE2HRC11

Ürt.:

ROHM Semiconductor

Açıklama:

SiC Schottky Diodes AECQ

Veri Sayfası:

SCS220AE2HRC11 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.924

Stok:: 1.924 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 21 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	8,59 €	8,59 €
	5,06 €	50,60 €
	4,51 €	451,00 €
	4,33 €	1.948,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247N-3
Yapılandırma:	Dual
If - İleri Akım:	20 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	650 V
Vf - İleri Voltaj:	1.55 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	76 A
IR - Ters Akım:	200 uA
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Vasıf:	AEC-Q101
Paketleme:	Tube
Marka:	ROHM Semiconductor
Pd - Güç Dağılımı:	160 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	450
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj:	650 V
Parça No Takma Adları:	SCS220AE2HR

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SCS220AE2HRC11 Veri Sayfası (PDF)

Specification Sheets

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.