SCT4045DRHRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DRHRC15
SCT4045DRHRC15

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
750 V
34 A
59 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
115 W
Enhancement
Marka: ROHM Semiconductor
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 10 ns
İleri İletkenlik - Min: 9.3 S
Paketleme: Tube
Ürün: MOSFET's
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 16 ns
Fabrika Paket Miktarı: 450
Alt kategori:: Transistors
Transistör Polaritesi: N-Channel
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 27 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 5.1 ns
Parça No Takma Adları: SCT4045DRHR
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Tayland
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

Stokta Var: 311

Stok:
311 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
33 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
311'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
11,40 € 11,40 €
7,02 € 70,20 €
6,85 € 685,00 €