Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 5.12 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-SGT105R70ILB

Ürt. Numarası:

SGT105R70ILB

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

Tasarımınızı Tamamlayın

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

SGT105R70ILB Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics SGT105R70ILB hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerFLAT-8
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	700 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	21.7 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	105 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	4.8 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	158 W
Kanal Modu:	Enhancement
Teknoloji:	GaN
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Ürün:	FET
Ürün Tipi:	GaN FETs
Yükseliş zamanı:	9 ns
Seri:	SGT
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Tip:	PowerGaN Transistor

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SGT105R70ILB Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

STMICROELECTRONICS

SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor

Offers extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation.

SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor hakkında daha fazla bilgi

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

Designed for high-efficiency and high-power switching applications.

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor hakkında daha fazla bilgi

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor designed for high-efficiency power conversion applications.

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor hakkında daha fazla bilgi

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

Built on GaN technology and designed for demanding power conversion applications.

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor hakkında daha fazla bilgi

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications.

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 768

Stok:: 768 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	5,12 €	5,12 €
	2,69 €	26,90 €
	2,45 €	245,00 €
	2,23 €	1.115,00 €
	2,14 €	2.140,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	1,89 €	5.670,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

SGT105R70ILB

Ürt.: STMicroelectronics

Açıklama: GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor Tasarımınızı Tamamlayın

Teknik Özellikler

Belgeler (2)

Veri Sayfası

PCN

Çevresel Belgeler

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER STMICROELECTRONICS

Stokta Var: 768

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

Tasarımınızı Tamamlayın

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

STMICROELECTRONICS