Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SIJH5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJH5100E-T1-GE3
Price: 5.25 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-SIJH5100E-T1-GE3

Ürt. Numarası:

SIJH5100E-T1-GE3

Ürt.:

Vishay / Siliconix

Açıklama:

MOSFET'ler PWRPK 100V N-CH MOSFET

Veri Sayfası:

SIJH5100E-T1-GE3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay / Siliconix SIJH5100E-T1-GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.882

Stok:: 1.882 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 8 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	5,25 €	5,25 €
	3,63 €	36,30 €
	2,62 €	262,00 €
	2,61 €	1.305,00 €
	2,47 €	2.470,00 €
Tam Makara (2000'in katları olarak sipariş verin)
	2,17 €	4.340,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerPAK-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	277 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	1.89 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	85 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	333 W
Kanal Modu:	Enhancement
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Vishay / Siliconix
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	21 ns
İleri İletkenlik - Min:	120 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	17 ns
Fabrika Paket Miktarı:	2000
Alt kategori::	Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	41 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	24 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SIJH5100E-T1-GE3 Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.