SIR5607DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 8.811

Stok:
8.811
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
5.825
Beklenen 30.03.2026
Fabrika Teslim Süresi:
13
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,86 € 2,86 €
1,90 € 19,00 €
1,38 € 138,00 €
1,21 € 605,00 €
1,20 € 1.200,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
1,03 € 3.090,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Vishay
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
P-Channel
1 Channel
60 V
90.9 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
31.7 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 20 ns
İleri İletkenlik - Min: 52 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 320 ns
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 30 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 45 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low RDS(on). These power MOSFETs offer 30V VDS and very low RDS x Qg Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A ID and 19.9nC Qg. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A ID and 21nC Qg. This 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.