SISF04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF04DN-T1-GE3
SISF04DN-T1-GE3

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 4.011

Stok:
4.011 Hemen Gönderilebilir
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
1,39 € 1,39 €
1,03 € 10,30 €
0,696 € 69,60 €
0,551 € 275,50 €
0,51 € 510,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,503 € 1.509,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Vishay
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
30 V
108 A
4 mOhms
- 12 V, 16 V
2.3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Yapılandırma: Dual
Düşüş Zamanı: 6 ns
İleri İletkenlik - Min: 115 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 21 ns
Seri: SISF
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 2 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 30 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 12 ns
Birim Ağırlık: 1 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.