Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SISS52DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS52DN-T1-GE3
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-SISS52DN-T1-GE3

Ürt. Numarası:

SISS52DN-T1-GE3

Ürt.:

Vishay / Siliconix

Açıklama:

MOSFET'ler PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

Veri Sayfası:

SISS52DN-T1-GE3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay / Siliconix SISS52DN-T1-GE3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 4.096

Stok:: 4.096 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,35 €	1,35 €
	0,853 €	8,53 €
	0,577 €	57,70 €
	0,455 €	227,50 €
	0,414 €	414,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,381 €	1.143,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerPAK1212-8S
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	30 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	162 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	1.2 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	65 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	57 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	TrenchFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Düşüş Zamanı:	6 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	6 ns
Seri:	SISS
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N - Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	26 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	12 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SISS52DN-T1-GE3 Veri Sayfası

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.