Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

SSM6N357R,LF

Name: Toshiba SSM6N357R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N357RLF
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

757-SSM6N357RLF

Ürt. Numarası:

SSM6N357R,LF

Ürt.:

Toshiba

Açıklama:

MOSFET'ler LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

Veri Sayfası:

SSM6N357R,LF Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Toshiba SSM6N357R,LF hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.106

Stok:: 1.106

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 6.000

Beklenen 25.06.2026

6.000

Beklenen 3.07.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 20

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	0,568 €	0,57 €
	0,35 €	3,50 €
	0,224 €	22,40 €
	0,171 €	85,50 €
	0,153 €	153,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,125 €	375,00 €
	0,115 €	690,00 €
	0,111 €	999,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Toshiba
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TSOP-6
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	2 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	60 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	650 mA
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	1.8 Ohms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.3 V
Qg - Kapı Şarjı:	1.5 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	1 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Ticari Unvan:	MOSV
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Yapılandırma:	Dual
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	TH
İleri İletkenlik - Min:	500 mS
Ürün Tipi:	MOSFETs
Seri:	SSM6N357R
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	3000 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	990 ns
Birim Ağırlık:	20 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SSM6N357R,LF Veri Sayfası (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive Solutions

Toshiba Automotive Solutions offers various automotive semiconductor devices designed to improve driving safety. This includes advanced driver assistance systems (ADAS) using an image recognition processor. Toshiba provides leading-edge semiconductor technologies from a future perspective to deliver comprehensive driver assistance solutions. These solutions include self-driving that emulate human eyes and other intricate human senses.

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs

Toshiba SSM6N357R and SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel components designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with two channels, whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These AEC-Q101-qualified MOSFETs feature a 3V gate drive voltage, built-in internal Zener diodes/resistors, and a 2kV class Human Body Model (HBM) ESD rating. The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, +150°C maximum channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy.

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.