STF80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STF80N1K1K6
STF80N1K1K6

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.003

Stok:
1.003 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
13 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
2,12 € 2,12 €
1,35 € 13,50 €
0,92 € 92,00 €
0,768 € 384,00 €
0,676 € 676,00 €
0,626 € 1.565,00 €
0,606 € 3.030,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5 A
1.1 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
5.7 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 14 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 4.3 ns
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 22 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 7.4 ns
Birim Ağırlık: 1,690 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.