STGB30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 79

Stok:
79
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
1.000
Beklenen 4.05.2026
Fabrika Teslim Süresi:
15
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,83 € 2,83 €
1,83 € 18,30 €
1,35 € 135,00 €
1,14 € 570,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
0,972 € 972,00 €
0,92 € 1.840,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30H60DFB
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks: 60 A
Kapı Verici Kaçak Akımı: +/- 250 nA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: IGBTs
Birim Ağırlık: 1,380 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.