Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 747.2 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

772-TGF2929-FL

Ürt. Numarası:

TGF2929-FL

Ürt.:

Qorvo

Açıklama:

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Veri Sayfası:

TGF2929-FL Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Qorvo TGF2929-FL hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 33

Stok:: 33 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	747,20 €	747,20 €
25	Fiyat Teklifi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Qorvo
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	NI-360
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	28 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	12 A
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	- 2.9 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Pd - Güç Dağılımı:	144 W
Marka:	Qorvo
Maksimum Çalışma Frekansı:	3.5 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	0 Hz
Neme Duyarlı:	Yes
Çıkış Gücü:	100 W
Paketleme:	Tray
Ürün Tipi:	GaN FETs
Seri:	TGF2929
Fabrika Paket Miktarı:	25
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN-on-SiC
Tip:	RF Power MOSFET
Parça No Takma Adları:	TGF2929 1123811
Birim Ağırlık:	64,190 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TGF2929-FL Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.