TK063N60Z1,S1F

Toshiba
757-TK063N60Z1S1F
TK063N60Z1,S1F

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 73

Stok:
73 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
5,69 € 5,69 €
4,29 € 42,90 €
2,73 € 327,60 €
2,48 € 1.264,80 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Toshiba
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
63 mOhms
30 V
4 V
56 nC
+ 150 C
242 W
Enhancement
Tube
Marka: Toshiba
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 5 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 50 ns
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 105 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 84 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.