Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

TK110A65Z,S4X

Name: Toshiba TK110A65Z,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110A65ZS4X
Price: 5.05 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

757-TK110A65ZS4X

Ürt. Numarası:

TK110A65Z,S4X

Ürt.:

Toshiba

Açıklama:

MOSFET'ler MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Veri Sayfası:

TK110A65Z,S4X Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Toshiba TK110A65Z,S4X hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 20 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	5,05 €	5,05 €
	2,67 €	26,70 €
	2,43 €	243,00 €
	2,33 €	1.165,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Toshiba
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-220-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	24 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	110 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	40 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	45 W
Kanal Modu:	Enhancement
Paketleme:	Tube
Marka:	Toshiba
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	4 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	28 ns
Seri:	DTMOS VI
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	90 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	52 ns
Birim Ağırlık:	2 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TK110A65Z,S4X Veri Sayfası (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.