TRS12A65F,S1Q

Name: Toshiba TRS12A65F,S1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TRS12A65F,S1Q
Price: 3.43 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

757-TRS12A65F,S1Q

Ürt. Numarası:

TRS12A65F,S1Q

Ürt.:

Toshiba

Açıklama:

SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY

Veri Sayfası:

TRS12A65F,S1Q Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Toshiba TRS12A65F,S1Q hakkında daha fazla bilgi edinin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Toshiba
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-220F-2L
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	12 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	650 V
Vf - İleri Voltaj:	1.45 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	92 A
IR - Ters Akım:	600 nA
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Vr - Ters Voltaj:	650 V
Paketleme:	Tube
Marka:	Toshiba
Pd - Güç Dağılımı:	41 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Parça No Takma Adları:	TRS12A65F,S1Q(S2
Birim Ağırlık:	1,830 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TRS12A65F,S1Q Veri Sayfası (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Uyumluluk Kodları

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Çin
Montaj Ülkesi:: Çin
Dağıtım Ülkesi:: Japonya

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

TOSHIBA

TRSx SiC Schottky Barrier Diodes

These SiC Schottky barrier diodes have a repetitive peak reverse voltage (V_RRM) rating of 1200V.

TRSx SiC Schottky Barrier Diodes hakkında daha fazla bilgi

TRSx65H SiC Schottky Barrier Diodes

650V devices based on third-generation technology utilizing Schottky metal.

TRSx65H SiC Schottky Barrier Diodes hakkında daha fazla bilgi

TRSxxN65FB 650V SiC Schottky Barrier Diodes

Employ SiC and 2^nd generation JBS chip design to allow higher-efficiency of power supply PFCs.

TRSxxN65FB 650V SiC Schottky Barrier Diodes hakkında daha fazla bilgi

SiC Schottky Barrier Diodes

Features high reverse voltage ratings, and short reverse recovery time (trr).

SiC Schottky Barrier Diodes hakkında daha fazla bilgi

TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes

Feature high surge current, small junction capacitance, and small reverse current.

TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes hakkında daha fazla bilgi

Stokta Var: 30

Stok:: 30 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,43 €	3,43 €
	1,75 €	17,50 €

TRS12A65F,S1Q

Ürt.: Toshiba

Açıklama: SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY

Teknik Özellikler

Belgeler (8)

Veri Sayfası

Application Notes

Product Catalogs

Ürün ve Ticaret Uyumluluğu

Daha Fazla Bilgi

SiC Schottky Barrier Diodes

Müşteriler Şunları da Satın Aldı

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER TOSHIBA

Stokta Var: 30

Fiyatlandırma (EUR)

Hızlı Görünüm

Beklenmeyen bir hata oluştu.

Ürt.:

Toshiba

Açıklama:

SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

TOSHIBA