UF3C120040K4S

onsemi
431-UF3C120040K4S
UF3C120040K4S

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 686

Stok:
686 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
31 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
686'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
23,85 € 23,85 €
15,43 € 154,30 €
15,12 € 1.512,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
45 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
Marka: onsemi
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 10 ns
Paketleme: Tube
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 27 ns
Seri: UF3C
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 50 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 24 ns
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.