UF3SC065007K4S

onsemi
431-UF3SC065007K4S
UF3SC065007K4S

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
onsemi UF3SC065007K4S hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
120 A
9 mOhms
- 12 V, + 12 V
6 V
214 nC
- 55 C
+ 175 C
789 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
Marka: onsemi
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 14 ns
Paketleme: Tube
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 46 ns
Seri: UF3SC
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Transistör Polaritesi: N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 72 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 36 ns
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Filipinler
Montaj Ülkesi:
Filipinler
Dağıtım Ülkesi:
Amerika Birleşik Devletleri
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low RDS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.

Stokta Var: 445

Stok:
445 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
31 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
445'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
66,78 € 66,78 €
57,34 € 573,40 €
510 Fiyat Teklifi

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.