VS-4C12ET07THM3

Name: Vishay VS-4C12ET07THM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07THM3
Price: 3.84 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

78-VS-4C12ET07THM3

Ürt. Numarası:

VS-4C12ET07THM3

Ürt.:

Vishay Semiconductors

Açıklama:

SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

VS-4C12ET07THM3 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Vishay Semiconductors VS-4C12ET07THM3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 1.000

Beklenen 14.08.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 12

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,84 €	3,84 €
	2,57 €	25,70 €
	1,98 €	198,00 €
	1,76 €	880,00 €
	1,49 €	1.490,00 €
	1,44 €	2.880,00 €
	1,42 €	7.100,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Vishay
Ürün Kategorisi:	SiC Schottky Diodes
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-220AC-2
Yapılandırma:	Single
If - İleri Akım:	12 A
Vrrm - Tekrarlayan Ters Voltaj:	650 V
Vf - İleri Voltaj:	1.3 V
Ifsm - İleri Dalgalanma Akımı:	72 A
IR - Ters Akım:	84 uA
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	-55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	VS-4C12ET07THM3
Marka:	Vishay Semiconductors
Pd - Güç Dağılımı:	91 W
Ürün Tipi:	SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj:	650 V

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

VS-4C12ET07THM3 Veri Sayfası (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.