VS-4C15ET12THM3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C15ET12THM3
VS-4C15ET12THM3

Ürt.:

Açıklama:
SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L

Yaşam Döngüsü:
Yeni Ürün:
Bu üreticiden yeni.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Siparişte:
1.000
Beklenen 14.08.2026
Fabrika Teslim Süresi:
12
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,36 € 6,36 €
4,49 € 44,90 €
3,74 € 374,00 €
3,47 € 1.735,00 €
2,93 € 2.930,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Vishay
Ürün Kategorisi: SiC Schottky Diodes
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
15 A
1.2 kV
1.36 V
75 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C15ET12THM3
Marka: Vishay Semiconductors
Pd - Güç Dağılımı: 167 W
Ürün Tipi: SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Diodes & Rectifiers
Vr - Ters Voltaj: 1.2 kV
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.