Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

WST41H0D-GP4

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

937-WST41H0D-GP4

Ürt. Numarası:

WST41H0D-GP4

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

WST41H0D-GP4 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM WST41H0D-GP4 hakkında daha fazla bilgi edinin

Gönderim Uyarısı:

Mouser, şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
Gönderim Kısıtlamaları:	Mouser, şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.
Montaj Stili:	SMD/SMT
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	84 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	6 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	60 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	- 2 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 85 C
Maksimum Çalışma Frekansı:	4 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	0 Hz
Teknoloji:	GaN, SiC
Marka:	MACOM
Yapılandırma:	Single
Kazanç:	17.5 dB
Çıkış Gücü:	223.87 W
Ürün:	GaN FETs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Transistors
Tip:	GaN on SiC Transistor

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

WST41H0D-GP4 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Menşe Sınıflandırmaları

Menşe Ülke:: Amerika Birleşik Devletleri
Montaj Ülkesi:: Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:: Stokta yok

Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.