TSM600NA25CIT C0G

Taiwan Semiconductor
821-TSM600NA25CITC0G
TSM600NA25CIT C0G

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFET'ler

Yaşam Döngüsü:
Mouser'da Yeni
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 3.999

Stok:
3.999 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,90 € 3,90 €
2,60 € 26,00 €
1,86 € 186,00 €
1,78 € 890,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Taiwan Semiconductor
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
250 V
22 A
60 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
Tube
Marka: Taiwan Semiconductor
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 25 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 16 ns
Fabrika Paket Miktarı: 2000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 78 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 16 ns
Parça No Takma Adları: TSM600NA25CIT
Birim Ağırlık: 1,584 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.